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SQM40N10-30
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.5
I D = 15 A
100
2.1
1.7
1.3
0.9
0.5
V GS = 10 V
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.12
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.8
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0.3
0.09
- 0.2
0.06
0.03
0
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 0.7
- 1.2
- 1.7
I D = 5 mA
I D = 250 μA
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
130
I D = 10 mA
124
118
112
106
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
4
Document Number: 64716
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